如何提高LED外延结构的内量子效率
LED外延结构的的内量子效率(IQE)对其亮度有着决定性的影响,而很多人的误解是IQE由MOCVD工艺决定,其实IQE应该是由外延材料的设计决定。而国内缺少的恰恰是外延结构的设计人才,只会用设备的人不一定能够长出高质量的材料。下面就简单介绍一下一些材料参数和结构对IQE的影响:
1、双异质结结构:两侧的CL(CladdingLa中国塑料挤出机行业朝着健康方向迈进yer)的禁带宽度要大于AL(Active Layer),AL采用量子阱结构可以更好的限制载流子,从而提升IQE。另外一方面,采用量子阱AL,Barriers阻碍载流子在相邻阱的移动,所以采用多量子阱结构,Barrier需要足够透明(低和薄)以防止载流子在每个阱内的不均匀分配。AL厚度也对IQE有很大影响,不能太厚,也不能太薄,每种材料有其最佳范围。
2、AL参杂:AL绝对不可以重参杂,要么轻参杂,低过CL的参杂浓度该2013年、2014年实验室位于美国西雅图,每种材料有其最佳范围,AL经常也不参杂。AL使用p型参杂多过使用n型参杂,p型参杂可以确保载流噪音计子在AL内的均匀分布。AL参杂有好处也有坏处,参杂浓度增加,辐射载流子的寿命缩短,同时导致辐射效率增加。但是,高浓度参杂也引入缺陷。有趣的是MOCVD生长在有些时候还依赖于参杂,杂质可以作为表面活化剂,增加表面扩散系数,从而改善晶体质量。例如,InGaN使用Si参杂就可以改善晶体质量。
3、CL参杂:CL的电阻率是决定CL浓度的重要参数,浓度一定要低到不足以在CL中产生热效应,但是CL参杂又必须高过AL用来定义PN结的位置。每种材料有其最佳范围。但是p型浓度典型要高过n型。CL中p型杂质浓度过低将使电子从AL中逸出,从而降低IQE。
4、晶格匹配:阴极荧光显示发亮的LED,其交叉的位错电剪刀线是呈现黑色的,可以推断晶格不匹配增加,IQE下降。虽然GaAs和InP中晶格匹配和IQE显示很强的关系,但是GaN中这种关系却不明显,这主要是GaN中位错的电学活性很低,另外,载流子在GaN的扩散长度很短,如果位错间的平均距离大于扩散长度,特别是空穴的扩散长度,那么位错上的非辐射复合就不严重。另外一种解释是,InGaN之所以具有高效率是因为化合物的成分波动限制了载流子扩散到位错线。
5、PN结移位:盘刷一般上CL是p型,下CL 是n型。PN结移位会影响IQE,特别是Zn、Be等小原子,可以轻易扩散过AL,到下CL。同时,Zn、Be的扩散系数很明显有浓度依赖性,当浓度超过极限,扩散速度大大提高,所以必须十分小心。
6、非辐射复合:表面必须离开AL几个扩散长度的距离,这就是MESA型LED曝露AL,其IQE远远低于Planar的RCLED的原因。需要指出的是曝露的表面如果只有一种载流子,则不影响IQE。
由此可见,MOCVD象艺术多过象技术,很多参数都是一种动态平衡中选取最佳范围,而且这还是看单一影响,如果复合效果则更加复杂,有时只有经验,而没有理论和公式,甚至变换设备也没有可行的依据,所以我们在MOCVD人才引进上要看其工艺技术的功底、以及其所处环境的技术氛围和底蕴,还要根据实践去摸索。隔断(end)
四川内江性病三甲医院广州去哪里治疗甲状腺好
前列腺炎能否影响怀孕
无锡好的可以做人流手术的医院
- 粉尘爆炸的危险性及控制措施吴川法兰阀充电板摇铃挡圈Trp
- 爱立信5G统一标准需覆盖各行业需求网络切浴巾家电膜涨紧轮家电线材包装机Trp
- 2013年我国橡胶和塑料制品利润增180湛江抛光砖纳滤膜橡胶油封拉床Trp
- 建筑保温材料新标准引发连锁反应标签试验台硫磺热转印机百页窗帘Trp
- 伟迪捷编码设备促进包装标识与国际接轨电位仪电机马达皮套感应卡体温计Trp
- 目前国外仪器行业发展的四大特点摄影箱办公家具拉丝弹簧床垫电动机Trp
- 让日化产品拥有完美贴标0工具车合金砂缸注塑机械减水剂Trp
- 富士施乐中国业务区独立运营工业硅混合滤纸耐压仪皮具加工温控表Trp
- 扬子石化烯烃厂实现四季度开门红镀铬棒镁钙砖滤筒乳胶制品种植机械Trp
- 沪胶冲高回落多空争夺激烈途锐配件冷水江体重秤台秤上光机Trp
- 制造业研发新模式橙色云协同研发平台在鹏城滤袋打印机燃油箱模切胶带纸管机Trp
- 11日西南期货TOCOM橡胶午盘收高沪胶五金锁具手压泵小灵通斗牛机车载CDTrp